在周一晚上的直播中，英特尔首席执行官PatGelsinger详细介绍了公司的一些未来计划，并推出了到2025年的修订产品路线图。部分公告涉及其工艺节点的新命名结构。

在我们进入新闻之前，值得注意的是公告有点复杂。对于那些对所有技术细节不感兴趣的人，这里有一个简短的新闻版本：英特尔详细介绍了其新几年的产品计划，目标是在2023年向客户提供7nm硬件，然后在2024年向客户提供低于1nm的硬件。对于大多数人来说，这应该会在未来几年转化为更快的英特尔CPU-希望这也意味着英特尔可以克服持续的延迟并回到正轨。

英特尔吹捧新的命名结构是为客户简化事情的一种方式。首先，英特尔的10nmAlderLake将使用称为“英特尔7”的工艺节点。以前，该节点称为“SuperFinEnhanced”。虽然看起来令人困惑，但值得注意的是，常用的“纳米”测量并不总是查看芯片的最佳方式。英特尔的10nm工艺与台积电等公司的7nm工艺相当。英特尔7将在2021年和2022年在AlderLake产品中出货，每瓦性能比SuperFin提高10-15%。

英特尔实际的7nm'RocketLake'硬件要到2023年才会发货——该节点现在被称为“英特尔4”。该公司表示，英特尔4将提供20%的每瓦性能提升。英特尔还预计将在2023年在“英特尔3”节点上发布处理器，预计每瓦性能比英特尔4提高18%。英特尔3似乎是英特尔4和即将推出的更令人兴奋的产品之间的权宜之计2024年：英特尔20A。

该公司希望最终确定晶体管小于1nm的芯片的设计，英特尔将用埃来衡量，因此“A”。就上下文而言，每纳米有10埃。英特尔20A将使用该公司的“RibbonFET”晶体管，这标志着英特尔自2011年FinFET以来的第一个新架构。

此外，英特尔20A将利用“PowerVia”技术，该技术可以将电力输送到芯片晶圆的背面。它应该使信号传输更有效。

最后，英特尔18A已经在开发2025年。该公司表示将改进RibbonFET，以实现晶体管性能的再一次提升。