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1、NAND Flash产品可分为三种架构，即单级单元；SLC)，包括三星电子、海力士、美光、东芝都是这个技术的用户，第二个是多级存储(Multi Level CellMLC)，目前东芝和瑞萨都在使用，但三星电子将在2005年第四季度推出相关产品。最后，英飞凌和赛峰半导体联合开发了NROM技术的多位存储(Multi Bit CellMBC).今天我们只谈SLC和MLC。

2、1997年9月，英特尔首次成功开发了MLC。通过精确控制浮动Gat上的电荷量，呈现四种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制值(从00到11)。

3、也就是说，SLC架构有0和1两个值，而MLC架构一次可以存储4个以上的值。因此，MLC架构可以具有更好的存储密度。此外，它可以利用较旧的生产设备来提高产品的产能，而无需额外投资生产设备，因此具有成本和产量的优势。

4、然而，MLC架构有缺点。首先，它的使用寿命很短。MLC架构只能承受1万次左右的访问，远低于SLC架构的10万次访问。其次是访问速度，SLC架构比MLC架构快三倍以上，MLC架构功耗更大。

5、看来MLC不能用，至少不成熟，一切以防万一。现在三星在大量生产MLC芯片，三星也生产ARM主芯片，所以三星主芯片和三星MLC芯片的兼容性比其他MP3主芯片要好。使用其他MLC芯片的MP3播放器，有时会因为兼容性问题出现读写速度慢、闪存不好等问题。

6、可以说，无论是从成本还是产能发展来看，MLC都是一个很好的发展方向，而我们现在需要做的就是完善这项技术，更好地利用它。

本文讲解到此结束，希望对大家有所帮助。