hello，我是环球阳光的编辑小张，我来为大家解答一下有关真我gt大师探索版闪存规格的问题。

这款真gt Master Discovery Edition的手机为用户提供了超高的手机价值，不仅为用户提供了良好的手机外形设计，也为用户提供了良好的手感体验。还为用户提供了骁龙870的处理器性能，带来了不错的手机5G性能。真正的gt主发现版的闪存规格是什么？

我真正的gt主发现闪存规范

为用户提供“LPDDR4X ufs3.1”的闪存规格。

LPDDR内存的全称是低功耗双数据速率SDRAM，中文意思是低功耗双数据速率内存，主要用于移动设备。

LPDDR4X

总线时钟频率为2133Mhz，架构为64x和86x，电压为1.8/1.1/0.6V。

LPDDR5

数据速率3200Mhz，架构64x，电压1.8/1.05/0.9/0.5v。

在数据传输方面，新的LPDDR R5比LPDDR4x快约1.5倍。DDR 5的传输速度为51.2 Gbps，频率为6,400 Mbps。

Lpr4和LPDDR4采用32位双通道架构(2 x 16位)进行改进。LPDDR5将移回单个16位通道，但每个通道中的存储体数量增加了一倍。LPDDR54X只支持单库组，而LPDDR R5支持多库组模式，这里可以理解为数据传输已经从单路变为多路，进一步提升了传输数据带宽。

全称是Universal Flash Storage的UFS，采用HS-G4规范的UFS3.0标准，单通道带宽11.6Gbps，性能是UFS2.1的两倍，简单来说，UFS3.0标准传输速度更快，功耗更低，软件响应更快，程序运行更流畅，省电效果更好，对于喜欢玩手机游戏的用户来说，将是一大福音。

与UFS 3.0相比，UFS 3.1增加了三个功能。

1.写加速(写加速器)

写Turbo字面意思是提高设备的写入速度。

有了这个特性，闪存的写入速率将大大提高。UFS3.1的写入速度提高到700兆字节/秒，而UFS3.0的顺序写入速度高达500兆字节/秒。

Write Turbo原理接近于TLC/QLC固态硬盘中部分空间的动态压缩，模拟SLC缓存。数据首先从读写性能更强的部分写入，以容量换取性能，然后在空闲时自动将文件整理出来，以标准形式存储，从而释放了之前被压缩占用的额外空间。

我个人的理解是先从闪存内部划分一个“缓存区”，然后让这个更快的缓存区先接收文件，然后在手机空闲的时候，默默的把里面的内容存储到普通的闪存区。

2.深睡

嗯，睡眠，就像我们睡觉一样，减少消耗。DEEP Sleep可以使闪存在空闲时进入低功耗睡眠状态，保证手机在空闲时可以节省更多的电量，降低设备的功耗，有助于手机在空闲时的功耗控制，间接提高手机的电池寿命。

3.主机性能增强器(HPB，主机性能增强器)

HPB的主要功能是提高手机的阅读性能。realme副总裁王伟向HPB解释，手机在使用过程中用卡越来越多的原因之一是读取越来越慢，这是文件系统碎片化和设备随机读取性能下降造成的。设备缓存容量有限，L2pap表频繁过载导致性能开销过大。HPB利用手机的RAM缓存L2P地图表，提高阅读性能，尤其是长期使用后的随机阅读能力。总之，HPB意在解决手机越来越卡的‘老问题’。

我觉得这个功能很重。这个卡壳问题直接关系到手机的使用寿命。此前数据显示，安卓手机的平均流畅使用寿命为18个月。在这里，我们要注意服务的顺畅。很多人换手机的一个重要原因是手机的侧面越来越卡，HPB不得不出现。如果手机的卡壳问题能够得到很好的解决，那么我相信手机的使用寿命会有一定程度的延长。

在实际测试中，UFS 3.1的性能要比UFS 3.0好得多。本测试从顺序阅读、顺序写作、随机阅读和随机写作四个方面进行比较。

2.顺序写入：实测728.67MB/S UFS 3.1比UFS 3.0快37.5%。

3.随机读数：实际测量为286.03兆位/秒UFS 3.1比UFS 3.0快14.5%。

4.随机写入：实际测量为239.15兆字节/秒UFS 3.1比UFS 3.0快10.5%。

总体而言，UFS 3.1的综合性能比UFS 3.0高出约15%。

Ps:这款手机也给用户提供了不错的手机骁龙870处理器，带来了不错的手机旗舰5G性能，也给用户提供了不错的120Hz三星柔性屏显示的手机，值得入手。

本次解答到此结束，希望对大家有所帮助。