著名的泄密者Ice Universe表示，三星的下一代旗舰智能手机芯片组可能会被称为 Exynos 2200，将采用 4nm 工艺制造。该芯片似乎基于三星的 4LPP(4nm Low Power Plus)技术，对此知之甚少，除了它比用于 Exynos 2100 的 5nm FinFET 工艺略有改进。

三星的 4nm 技术将成为下一代 MBCFETTM 结构(多桥通道 FET)的第一个实现，据该公司称，它使用 GAAFET(全环 FET)技术来克服 FinFET 架构的性能和物理缩放限制.

据称，高通公司即将推出的高端 SoC Snapdragon 895 也将由三星使用相同的节点制造。

Ice还表示，Exynos 2200的代号为“Pamir”，其与AMD合作制造的GPU在内部被称为“航海者”。GPU 将采用 AMD 的 RDNA 2 图形技术，三星有望在本月宣布。尽管第一台 Exynos 2200 驱动的设备要到 2022 年 1 月才能到货，但我们可能还需要一段时间才能看到它。根据没有既定记录的消息来源的报告，该芯片将采用Arm 的新 Cortex X2 CPU 作为它的主要核心，它将坚持三集群 CPU 配置。Exynos 2100 已经是朝着正确方向迈出的一步，三星放弃了 Arm 设计的定制内核，而新的 GPU 可以将其置于与