过渡金属二硫属化物 (TMD) 是一种二维 (2-D) 半导体，是下一代光电器件的有前途的材料。由于激子、由电子-空穴对组成的准粒子以及原子级薄的性质，它们可以发出强光。然而，在现有的二维发光器件中，将电子和空穴同时注入二维材料一直具有挑战性，导致发光效率低。

为了克服这些问题，首尔国立大学的 Gwan-Hyoung Lee 教授小组和高丽大学的 Chul-Ho Lee 教授小组通过 staking 二维材料展示了全二维发光场效应晶体管 (LEFET)。他们分别选择石墨烯和单层 WSe 2作为接触电极和双极通道。通常，金属和半导体之间的结具有很大的能垒。在石墨烯和WSe 2的接合处也是如此。

然而，Lee 的团队利用势垒可调石墨烯电极作为选择性注入电子和空穴的关键。由于石墨烯的功函数可以通过外部电场进行调节，因此可以在石墨烯接触的 WSe 2晶体管中调节接触势垒高度，从而能够在每个石墨烯接触处选择性注入电子和空穴。通过控制注入电子和空穴的密度，在室温下实现了高达 6% 的高电致发光效率。

此外，还证明，通过用单独的三个栅极调制触点和沟道，可以控制 LEFET 的极性和发光，显示出全二维 LEFET 在多位逻辑器件和高度集成中的巨大前景。光电电路。

该研究成果发表的题为“Multi-操作模式纸光-emitting场效应晶体管基于范德华异质”的先进材料。