一个韩国研究团队开发了一种技术来制造一种用于电磁干扰 (EMI) 屏蔽的超薄材料。由韩国科学技术研究院(KIST，代理院长 Yoon Seok-jin)材料建筑研究中心负责人 Koo Chong-Min 领导的研究小组宣布，他们已经开发出一种超薄纳米厚膜MXene，一种用于 EMI 屏蔽的新型二维纳米材料。该研究由韩国科学技术院(KAIST，院长：Shin Sung-chul)材料科学与工程系金相欧教授领导的团队和Yury Gogotsi教授领导的研究团队共同进行来自德雷塞尔大学。

Koo Chong-min 在 2016 年报道的具有高导电性的微米厚 MXene 薄膜具有出色的电磁干扰屏蔽性能。但是，目前还没有任何技术可以将 MXene 直接应用于高度集成的电子设备，例如 5G 通信和移动设备。

KIST-KAIST-Drexel联合研究团队使用自组装技术制造了原子级厚度均匀的超薄MXene薄膜。据报道，MXene 薄膜具有卓越的绝对电磁屏蔽性能(相对于厚度和密度的屏蔽效果)，远远高于迄今为止报道的任何其他材料。

通过在稀释的 MXene 溶液表面添加挥发性溶液，研究团队能够诱导漂浮的 MXene 薄片。由表面张力差异引起的垂直对流导致微米级 MXene 薄片的自组装，从而形成具有均匀原子级厚度的大尺寸超薄 MXene 薄膜。研究小组发现，分层达到 55 nm 厚度的 MXene 薄膜可提供 99% 的电磁屏蔽效率。使用该团队的新技术制造的超薄 MXene 薄膜可以轻松转移到任何基材上，并可以多次分层以定制厚度、透射率和表面电阻。

“我们使用自组装技术制造了原子级厚度均匀的超薄 Ti 3 C 2 T x MXene 薄膜。该技术有助于研究纳米厚二维纳米材料的电磁屏蔽机制，并开发出超薄柔性电子产品的电磁屏蔽应用技术，”KIST 材料建筑研究中心负责人 Koo Chong-Min 说。“我们相信超薄涂层MXene技术可以应用于各种电子设备，并用于量产，从而促进下一代轻型电磁屏蔽和柔性可印刷电子产品的应用研究。”