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1、有两种类型的存储单元：SLC(单层单元)和多层单元(多层单元)。此外，SLC闪存具有100，000次复制的优势，比MLC闪存高10倍。此外，为了保证MLC的寿命，控制芯片验证了智能磨损平衡技术算法，使每个存储单元的写入次数均匀分布，达到100万小时MTBF。

2、网上对MLC和SLC架构有一个普遍的误解，那就是大家都认为MLC架构的NAND闪存低劣，只有SLC架构的NAND闪存才能保质保量。众所周知，MLC架构的NAND闪存产品在2003年就已经投入市场使用。到目前为止，还没有用户说自己购买的大容量CF和SD卡有质量问题。你可能会说这是暂时的，以后肯定会出问题，所以我们先回忆一下MLC的发展和SLC目前的发展，然后在这个假设上做一个结论。

3、SLC科技。原则上，SLC架构有0和1两个计费值，即每个单元只能访问1位数据。它有点类似于开关电路，虽然简单，但非常稳定。就像电脑的CPU部件，为了在一定体积内容纳更多的晶体管，就要提高生产工艺水平，缩小单个晶体管的体积。目前，SLC技术受到低硅效率问题的限制。为了大幅提升工艺技术，需要采用更先进的工艺强化技术，这就意味着厂家必须更换现有的生产设备，投入大，无底洞。而MLC架构一次可以存储四个以上的充电值，所以有很好的存储密度。此外，可以利用现有的生产设备来提高产品产能，因此制造商享有生产成本的优势，产品产量得到保证，这使其比SLC建筑更受欢迎。

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